光刻機是半導體制造中最關鍵的設備之一，它的主要功能是將設計好的電路圖案精確轉印到晶圓表面。隨著芯片制程不斷向更小的節(jié)點推進，光刻技術也不斷演進，衍生出多種不同類型的光刻機。每種類型都服務于不同的制造需求，在精度、速度、成本和適用場景方面各有優(yōu)勢。

最早期的光刻機類型是接觸式光刻機。這種設備結構簡單，工作原理是將掩膜（相當于電路的底片）直接與晶圓上的光刻膠表面接觸，然后用紫外光照射，通過掩膜的圖案遮擋，讓圖案顯影在光刻膠上。這種方法設備便宜，適合教學、實驗室或MEMS等不追求極高分辨率的應用。但因為掩膜與晶圓直接接觸，容易磨損或污染，且圖案精度不高，因此逐漸被其他更先進的光刻方式所替代。

接替接觸式光刻的是投影光刻機，它的核心改進是使用光學鏡頭將掩膜圖案縮小并投影到晶圓上，實現(xiàn)非接觸式圖案轉印。由于掩膜和晶圓之間沒有直接接觸，圖案的清晰度和重復性大大提高，也更適合工業(yè)量產。投影光刻機根據(jù)使用的光源波長進一步細分，例如使用g線（436納米）、i線（365納米）、KrF（248納米）和ArF（193納米）激光的光刻機。隨著波長的減小，圖案分辨率也越來越高。特別是ArF光刻機廣泛用于65納米、45納米、28納米等工藝節(jié)點的芯片制造，是現(xiàn)代光刻系統(tǒng)的中堅力量。

為了突破193納米光源在分辨率上的物理限制，業(yè)界發(fā)展出了一種更先進的技術——浸沒式光刻。它是在傳統(tǒng)ArF光刻基礎上，將鏡頭與晶圓之間的空氣替換為純水等高折射率液體，從而增加系統(tǒng)的光學解析力。這種方法能將分辨率提升至幾十納米，支持28納米甚至20納米以下的工藝節(jié)點。浸沒式光刻已成為許多先進制程中不可或缺的技術，尤其在光刻層數(shù)較多的芯片中發(fā)揮著重要作用。

隨著芯片制程進入7納米甚至更小的時代，單靠193納米的光源已經無法滿足一次曝光完成全部圖案的需求。于是，極紫外光刻（EUV）技術應運而生。EUV使用13.5納米波長的極紫外光，是目前分辨率最高的光刻技術。它不再依賴復雜的多重圖案化工藝，而是可以在一次曝光中完成復雜電路圖案，大幅簡化工藝流程，提高產能和良率。不過，EUV系統(tǒng)極為復雜，必須在真空中運行，采用反射鏡而非透鏡成像，對光源功率、掩膜質量和光刻膠性能都有極高要求。目前全球只有荷蘭ASML公司具備EUV光刻機的量產能力，這種設備的價格往往超過1.5億美元。

除了傳統(tǒng)光學系統(tǒng)，還有兩類不使用光的直寫式光刻技術也廣受關注，即電子束光刻（EBL）與離子束光刻（IBL）。電子束光刻使用聚焦電子束在光刻膠上逐點“畫圖”，無需掩膜，因此非常適合原型設計和納米級實驗結構的制作。它的分辨率極高，甚至可以達到2納米級別，但由于曝光速度較慢，不適合大規(guī)模生產。電子束光刻廣泛應用于科研、高精度掩膜制作以及試驗性芯片設計。

與電子束類似，離子束光刻使用的是聚焦離子束，如鎵離子或氦離子。離子束的質量比電子大，散射角更小，因此可實現(xiàn)更深、輪廓更清晰的圖案雕刻。IBL不僅可以用于在光刻膠上寫圖，也常用于直接在材料上刻蝕、切割、沉積等，具有高度的靈活性。不過，由于束流控制復雜、寫入速度慢、設備成本高，IBL目前主要用于科研、材料分析和納米結構制造等領域。

在研究領域，還有如X射線光刻和納米壓印光刻等特殊類型。X射線光刻使用極短波長的射線，理論上可實現(xiàn)極高的分辨率，但因技術難度大、成本高、系統(tǒng)復雜，目前并未在主流產業(yè)中推廣。而納米壓印光刻則是一種相對廉價的方法，它通過將已有的納米圖案模板直接壓印到材料表面來轉移圖案，適合大面積制造微納結構，在顯示器、光學元件、柔性電子等方向展現(xiàn)出一定潛力。

總體而言，光刻機的類型可大致分為兩大類：一種是依靠光源通過掩膜轉印圖案的“掩膜式光刻”，包括投影光刻、浸沒式光刻與EUV光刻；另一類是“無掩膜直寫式光刻”，如電子束光刻與離子束光刻。前者適合大批量、標準化生產，是產業(yè)制造的主力；后者則以高分辨率和靈活性為特點，更適合研發(fā)與定制應用。

隨著芯片向更小尺寸、更高密度發(fā)展，光刻技術也在不斷突破物理與工程極限。從早期的接觸式，到如今的極紫外光刻與直寫技術，光刻機的發(fā)展正是現(xiàn)代微電子制造不斷進化的縮影。